内痔核の手術療法―インドシアニングリーン併用半導体レーザー治療の成績と今後の方向性

要旨　インドシアニングリーンを痔核内に注入して805nm波長の半導体レーザーを照射する治療法は低侵襲である．レーザー光はICGに吸収されてブロックされるため，肛門括約筋に侵襲を与えず，痔核内の色素部分だけを焼灼・凝固できる．照射面はびらんを作るが潰瘍化や壊死化することはなく，2～4週の間には外観上，正常化する．本手術法による再発率は7.5％であった．しかし，Goligher分類でⅠ度程度の痔核が非再発例の約80％に認められた．安全性はきわめて高く，今日まで副作用の報告はみられていない．本稿では，当院で4年間に行った123例の半導体レーザー手術の再発率などを調べ，今後のICG併用半導体レーザーの方向性についての考察を述べた．