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一頁講座 トランスデューサーの各種・7
フォト・ブリッジ（Ⅰ）
土屋 和夫
1
1労災義肢センター
キーワード：
トランスデューサー
,
フォト・ブリッジ
Keyword:
トランスデューサー
,
フォト・ブリッジ
pp.601
発行日 1975年7月10日
Published Date 1975/7/10
DOI https://doi.org/10.11477/mf.1552103377
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- Abstract 文献概要
A．原理
CdSまたはCdSeなどの光導電素子を同一基板に2個組みこんだ光電式変位検出素子である．光導電材料とは，半導体の一種で，照射光の強弱によりその導電性（電気抵抗）が変化する材料の総称である．単体素子は，すでに市街灯などの自動点灯用リレーに組みこんで広く使われている．つまり，周囲が明るいときは電源スイッチを開き，暗くなると回路を閉じて電灯の点滅を制御する．ただ，半導体のため，周囲温度の影響を受け易く，明るさの程度の判別には信頼性が低く，明暗の両極端の判定に利用されてきた．
フォト・ブリッジはこの材料を2個組みこみ，ブリッジ式に用いて，照射光の強度変化や周囲温度変化に無関係に基板のどこに光が照射されているかという位置情報を電圧の変化に変換するように考案されている．
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