Japanese
English
検査ファイル 用語
ISFET
軽部 征夫
1
,
関 篤志
2
1東京大学先端科学技術センター
2東京工業大学大学院
pp.1478-1479
発行日 1988年12月1日
Published Date 1988/12/1
DOI https://doi.org/10.11477/mf.1543205531
- 有料閲覧
PPV購入案内
1,320円 (1,200円+税10%) こちらは、1478ページから1479ページの文献です。
PPV（ペイ・パー・ビュー）とは、論文（記事）単位で購入・閲覧ができるサービスです。
購入には医書.jp本会員登録が必要です。
会員登録完了後に改めて上記「購入サイトへ」を選択してください。
または「購入サイトへ」選択後に「購入ログイン」、「新規会員登録」の順に進んでください。
会員登録について詳しくはをご確認ください。
購入には医書.jp本会員登録が必要です。
会員登録完了後に改めて上記「購入サイトへ」を選択してください。
または「購入サイトへ」選択後に「購入ログイン」、「新規会員登録」の順に進んでください。
会員登録について詳しくはをご確認ください。
- Abstract 文献概要
［1］構造と原理
イオン感応性電界効果型トランジスタ（ion sensitive field effect transistor；ISFET）はMOSFETのゲートのメタル電極の代わりにイオン感応性膜を付けたもの（図1）で，直接溶液に浸して使用する．溶液中のイオン濃度が変化すると溶液／ゲート絶縁膜界面の界面電位に変化が生じ，これによりソース-ドレイン間の導電率が変化する．このときのドレイン電流を出力として測定する．
ドレイン電流（ID）の測定は簡単であるが，FETの動作電圧によってID-pH特性の傾きが変化するので，ISFETの特性にバラツキがある場合はそれぞれのISFETの校正は行わなければならない．また，イオン感応膜の特性を評価するため，ネルンスト式の勾配を比較する場合，ID変化をFETの伝導コンダクタンスを用いて等価的なゲート電圧変化に換算しなければならない．そこで，現在では界面電位変化を直接測定してイオン濃度を測る方式が一般的に行われている．これは，溶液-絶縁物界面の界面電位変化が材料が決まれば一定であるからである．溶液-絶縁物界面の界面電位Eはネルンスト式に従う1）．
Copyright © 1988, Igaku-Shoin Ltd. All rights reserved.
